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世界初、ポスト5Gに向けたAlN系高周波トランジスタの動作に成功
〜次世代半導体AlNの応用領域を電力変換から無線通信へ拡大〜
Source : NTT
NTT株式会社は、窒化アルミニウム(AlN)系トランジスタにおいて、その低抵抗構造の設計により、無線通信で利用する高周波信号の増幅を世界で初めて実現しました。
2025年12月9日

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